芯片革命：二維材料顛覆傳統(tǒng)計算架構(gòu)

中國光學(xué)

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2020-09-24 14:00

吉林

來源：澎湃新聞·澎湃號·湃客

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原創(chuàng) 長光所Light中心 中國光學(xué) 收錄于話題#二維材料1#計算技術(shù)1

撰稿人 | Charlie（浙江大學(xué) 博士生）

近年來，隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、5G等新一代信息產(chǎn)業(yè)的蓬勃興起，人類社會要處理與分析的數(shù)據(jù)量也與日俱增。統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2020年全球數(shù)據(jù)總量將達到44ZB,而到2025年全球數(shù)據(jù)總量將達到175ZB，增長三倍以上。這些海量的數(shù)據(jù)對我們芯片的計算能力提出愈來愈高的要求。在這一背景下，如何將已經(jīng)有50多年歷史的摩爾定律繼續(xù)延續(xù)下去，已經(jīng)成為了學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界共同面臨的一大挑戰(zhàn)。

近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院的周鵬（

）團隊在Nature Nanotechnology發(fā)表綜述文章，題為“Two-dimensional materials for next-generation computing technologies”，該篇文章從感知型計算和推理型計算兩個角度，聚焦總結(jié)了二維材料應(yīng)用到矩陣計算和邏輯計算當(dāng)中的方法和潛力，同時指出了二維材料和傳統(tǒng)材料在未來計算芯片中各自的優(yōu)勢和劣勢，并進一步對二維材料在未來計算技術(shù)當(dāng)中的發(fā)展前景做了展望。

圖源：Veer

根據(jù)數(shù)據(jù)處理方式的不同，計算任務(wù)可以分成感知型和推理型兩類。

感知型計算的典型代表有圖像識別，自然語言處理等基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的計算，推理型計算的具體例子則有CPU, FPGA等晶體管型計算。

在處理諸如物體識別和自然語言處理這類感知型計算時，高度并行的矩陣計算方法是最優(yōu)方法；而處理推理型計算任務(wù)時，串行的邏輯計算方式效率會更高。

目前的計算架構(gòu)是將計算單元和存儲單元物理分離的馮諾依曼型架構(gòu)，用戶只能將這種單一的計算架構(gòu)同時用于解決感知型計算和推理型計算中。然而，感知型計算和推理型計算的對計算架構(gòu)的不同要求給馮諾依曼構(gòu)型提出了嚴峻的挑戰(zhàn)。

一方面，計算單元和存儲單元之間的數(shù)據(jù)傳輸速率受到架構(gòu)的限制，使得在處理感知型任務(wù)時數(shù)據(jù)遷移的能量和時間消耗甚至比計算本身的還要大。盡管目前業(yè)界已經(jīng)提出了近內(nèi)存技術(shù)來提高能效，但是硅通孔連接密度的制約使得這種近內(nèi)存技術(shù)不足以實現(xiàn)高能效計算。

另一方面，推理型任務(wù)計算性能的提高需要在邏輯處理單元實現(xiàn)更高的晶體管密度。然而，當(dāng)硅厚度減小到3nm以下時，Dennard縮放比例定律將會面臨嚴重的性能衰減問題。

圖1 矩陣運算和邏輯運算示意圖

圖源：Nature Nanotechnology 15, 545-557(2020)(Fig.1)

后來，人們認識到，如圖1所示，既然感知型計算和推理型計算對架構(gòu)的要求不同，根據(jù)不同類型的計算任務(wù)設(shè)計不同的架構(gòu)才是解決計算性能問題更加高效的方式。據(jù)此，人們針對感知型計算任務(wù)設(shè)計了存內(nèi)計算，而對于推理型計算設(shè)計了晶體管計算方式。

存內(nèi)計算是一種使用陣列排布的內(nèi)存器件來執(zhí)行矩陣運算的技術(shù)，這種技術(shù)可以避免數(shù)據(jù)遷移帶來的時間和能量消耗。這種技術(shù)在矩陣運算方面很有前景，但是距離商業(yè)應(yīng)用還有很多技術(shù)問題需要解決。對內(nèi)存的操作會顯著地增加計算的能耗，這會抵消存內(nèi)計算本身帶來的節(jié)能優(yōu)勢；并且，內(nèi)存的不穩(wěn)定性會降低計算的精度；同時，非離子動力學(xué)機理會給低能耗仿生系統(tǒng)的實際實現(xiàn)帶來諸多困難。

對于邏輯計算來說，存內(nèi)計算已經(jīng)被證實不合適串行計算，因為存內(nèi)計算的邏輯計算效率很低，因此場效應(yīng)晶體管技術(shù)仍然是最有前景的選擇。為了能將晶體管的特征尺寸降低到5nm以下，由于其懸掛鍵會帶來的強散射，因此體材料將不再是一個最佳的材料體系。而二維材料的無懸掛鍵優(yōu)勢使得其有可能克服傳統(tǒng)晶體管的尺寸限制，同時實現(xiàn)計算和內(nèi)存融合的高面積效率集成計算結(jié)構(gòu)。

在這篇綜述中，作者縱覽了二維材料在芯片計算方面所帶來的性能提高和器件創(chuàng)新，包括存內(nèi)計算中功耗的降低，計算精度和仿生特性的提高，以及晶體管技術(shù)在邏輯計算中展現(xiàn)出的尺寸減小優(yōu)勢和高面積效率集成潛能。

自從石墨烯被發(fā)現(xiàn)以來，各種其他的二維材料，尤其是過渡金屬二硫化物（TMDs）已經(jīng)成為了研究的熱點。二維材料的每一層之間通過無懸掛鍵的表面共價連接，并且相鄰層之間很弱的范德瓦耳斯力使得人們可以很輕易地從二維晶體中分離出一層或者幾層。這些特點使得二維材料擁有與傳統(tǒng)的體材料非常不同的性質(zhì)。得益于二維材料獨特的層狀結(jié)構(gòu)，電子被束縛很薄的平面內(nèi)，從而使得電子可以通過門電壓精密地調(diào)控。因此二維材料擁有對短溝道效應(yīng)免疫的潛力。

在后摩爾時代，由于量子效應(yīng)的限制，體材料很難將特征尺寸做到5nm以下，而二維材料原子級的厚度使得它成為一個天然的材料候選者。

此外，二維材料有著豐富的材料體系，包括導(dǎo)體(石墨烯Graphene)，半導(dǎo)體(MoS2)和絕緣體(hBN)系統(tǒng)，同時可以通過能帶調(diào)控設(shè)計來實現(xiàn)器件上的創(chuàng)新。此外，近年來，二維磁性材料的研究也逐漸升溫。二維材料所有這些獨特的性質(zhì)都可以用來設(shè)計新穎的電子器件。最后，人們可以利用二維材料的可堆積特性來制造范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)，這進一步擴大了二維材料體系的豐富性。

圖2 二維存儲器件和二維晶體管器件

圖源：Nature Nanotechnology 15, 545-557(2020)(Fig.2)

內(nèi)存和晶體管是實現(xiàn)存內(nèi)計算和晶體管邏輯計算的核心器件，二維材料在這兩方面均有很大的應(yīng)用潛力。二維內(nèi)存器件包括憶阻器（圖2a）、憶阻晶體管（圖2b）、閃存（圖2c）和離子晶體管（圖2d）。憶阻器采用經(jīng)典的金屬-絕緣體-金屬結(jié)構(gòu)，其中二維絕緣體可以作為交換層。憶阻晶體管采用三終端晶體管結(jié)構(gòu)，具有柵極可調(diào)性，晶界遷移或其它缺陷的可逆漂移可以產(chǎn)生電阻開關(guān)效應(yīng)。

閃存是基于電荷隧穿機制，而離子晶體管利用離子耦合來實現(xiàn)電導(dǎo)調(diào)制。通過利用二維材料的這些獨特的性質(zhì)，內(nèi)存性能可以得到極大的提升。例如二維原子晶體石墨烯可以起到阻擋層的作用來提高器件的穩(wěn)定性。擁有類似于石墨烯的蜂巢結(jié)構(gòu)的hBN表現(xiàn)出完全不同的高絕緣特性，它在憶阻器中起著交換層的作用，使得憶阻器可以同時具有高可靠性和低編程電流。

由于二維材料厚度很薄，二維存儲設(shè)備可以使用很低的工作電壓來降低功耗。此外，二維晶體管，如雙表面溝道（TSC）場效應(yīng)晶體管（圖2e）、鐵電場效應(yīng)晶體管（圖2f）或范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)構(gòu)場效應(yīng)晶體管（圖2g）目前也已在實驗中實現(xiàn)。最近的研究表明二維雙表面溝道FET可以作為一種基本的邏輯門，實現(xiàn)原地存儲。

鐵電場效應(yīng)晶體管，如負電容場效應(yīng)晶體管（NCFET），可實現(xiàn)亞閾值擺幅的低功耗電子應(yīng)用。進一步地，二維存儲器件可以設(shè)計成陣列結(jié)構(gòu)實現(xiàn)矩陣運算，而二維晶體管可以通過范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)實現(xiàn)系統(tǒng)級集成，從而有望將內(nèi)存與計算的融合。

圖3 二維材料集成的優(yōu)勢

圖源:Nature Nanotechnology 15, 545-557(2020)(Fig.4)

除了對單個器件性能的提升以外，由于二維材料的層狀結(jié)構(gòu)，二維材料可以實現(xiàn)更高面積效率的邏輯門結(jié)構(gòu)和范德瓦爾斯集成，因為不同種類的二維材料可以方便的相互堆疊而不用考慮晶格失配的限制。

對一個芯片來說，邏輯計算是由各種邏輯門組合實現(xiàn)的。由于無論是單一的NAND門或是NOR門都可以組建起整個邏輯系統(tǒng)，因此問題的關(guān)鍵就是制造出NAND門或是NOR門。在體材料系統(tǒng)中，只有體材料的表面被利用起來進行器件設(shè)計，因此需要至少兩個晶體管來組裝NAND門或者NOR門（要有兩個輸入端口）。然而，基于二維材料，研究人員2019年提出了一種新型邏輯門結(jié)構(gòu)，將用于組裝基本邏輯門的晶體管資源減少了50%，只需要一個二維晶體管就可以實現(xiàn)。圖3a展示了傳統(tǒng)的邏輯門設(shè)計和基于二維材料的邏輯門設(shè)計的對比。

在一個二維晶體管中，通道材料的上表面和下表面都可以被利用起來；因此，一個雙表面溝道（TSC）二維晶體管可以接收足夠的輸入信號端口來實現(xiàn)NAND門/NOR門。另外，研究人員證明了只有一個單層的二維MoS2晶體管與一個負載電阻相連才可以同時實現(xiàn)NAND門和NOR門，同時這個邏輯功能可以實現(xiàn)光致開關(guān)。因為這種二維晶體管可以減少50%的晶體管資源消耗，同時可以靈活地在垂直方向上進行集成，這種新的邏輯門結(jié)構(gòu)值得被進一步推廣。

對于芯片級的集成，垂直集成是提高芯片密度的應(yīng)用最廣泛的方式，例如近內(nèi)存技術(shù)。由于體材料中晶格缺陷的限制，傳統(tǒng)三維集成是通過硅通孔（Through-Silicon-Via, TSV）方法實現(xiàn)的，這種方式互連密度很低。

圖3b展示了傳統(tǒng)硅基三維集成和范德瓦爾斯集成的對比。在硅基三維集成中，芯片垂直堆疊并且通過硅通孔方法相互連接。考慮到硅上孔的直徑在幾微米的量級，數(shù)據(jù)遷移的效率和芯片設(shè)計的空間其實非常受限。而對于范德瓦爾斯結(jié)集成，我們無需考慮晶格適配的問題。二維材料可以直接生長或者遷移到基底上，多余的材料可以被刻蝕掉。（但是應(yīng)該注意到，目前二維材料在基底上的直接生長仍然是很有挑戰(zhàn)性的工作，同時還要考慮到生長的溫度和基底的質(zhì)量。）在裝置制造和氧化剝離以后，第二個功能層可以繼續(xù)在原先第一個功能層上繼續(xù)組裝，不同層之間是由穿過介質(zhì)層的幾納米厚度的金屬實現(xiàn)的，這比硅通孔方法的效率高多了。通過范德瓦爾斯集成方法的使用，相鄰功能層之間的互連效率將不再受限。因此，諸如一個計算層和一個存儲層的每個功能層可以被垂直組裝。因為計算層和存儲層之間可以通過高密度的金屬互連，這種方法可以極大地提高數(shù)據(jù)遷移效率。

圖4 面向下一代計算技術(shù)的二維材料發(fā)展路線圖

圖源：Nature Nanotechnology 15, 545-557(2020)(Fig.5)

得益于無懸掛鍵的晶格和范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)，二維材料可以提高矩陣運算性能，減小晶體管尺寸，提高晶體管面積效率，還在芯片集成方面優(yōu)勢巨大。

然而，總體來說，使用二維材料進行矩陣運算為人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計算服務(wù)才剛剛起步。盡管最近已經(jīng)有研究團隊實現(xiàn)了將一個神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)應(yīng)用到基于二維材料的矩陣運算中，但是目前矩陣的維度仍然很小。對于邏輯運算，二維材料在減小器件尺寸和高面積效率集成方面的優(yōu)勢顯著，然而現(xiàn)在仍然缺少芯片層次集成的實驗驗證。從芯片發(fā)展的全局視角看，二維材料目前仍然有一些重要的技術(shù)問題需要解決。具體來說，從大面積具有穩(wěn)定摻雜的晶體生長到增強芯片驅(qū)動電流的可靠方法，再到大規(guī)模異質(zhì)集成，都有一些挑戰(zhàn)和困難需要解決。

圖4展示了發(fā)展面向下一代計算技術(shù)的二維材料的技術(shù)路線圖，從材料到器件再到系統(tǒng)，二維材料都既展現(xiàn)出了獨特的優(yōu)勢與潛力，同時也對我們現(xiàn)有的技術(shù)提出了更高的要求與挑戰(zhàn)。相信如果我們在材料生長，器件制造和系統(tǒng)設(shè)計方面不懈努力，二維材料必將在未來下一代計算技術(shù)中發(fā)揮出重要的作用！

文章信息

Liu, C., Chen, H., Wang, S. et al. Two-dimensional materials for next-generation computing technologies. Nat. Nanotechnol. 15, 545–557 (2020).

論文地址

https://doi.org/10.1038/s41565-020-0724-3

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原標(biāo)題：《芯片革命：二維材料顛覆傳統(tǒng)計算架構(gòu)》